Samsung sviluppa memorie GDDR5

Samsung ha annunciato lo sviluppo di nuove memorie GDDR5 con un transfer rate teorico di 6Gbps. Novità assoluta in questi moduli, è la densità dei chip, di circa 512 MB (16 x 32MB) permettendo cosi di trasferire 24 Gbps di dati al secondo. Il voltaggio è stato fissato a 1.5v, incrementato del 20% rispetto alle memorie GDDR3. I primi sample saranno disponibili a partire da metà 2008, mentre debutteranno ufficialmente sul mercato nei primi mesi del 2010.

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