Da Samsung kit memoria da 4GB DDR3 a 40nm

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Samsung 40nm 4Gb DDR3 DRAM 01 - Da Samsung kit memoria da 4GB DDR3 a 40nm

Samsung ha presentato in questi giorni nuovi kit memoria DDR3 da 4GB prodotti con processo produttivo a 40nm. Grazie all’utilizzo di questa tecnologia, i nuovi moduli Samsung garantiscono consumi energetici molto più contenuti (circa il 35% in meno rispetto a soluzioni precedenti), frequenze di 1600MHz e voltaggio compreso tra 1.35v e 1.50v. Dong-Soo Jun, executive vice president e memory marketing di Samsung, ha confermato che entro i prossimi mesi il 90% delle linee di produzione dell’azienda koreana potranno beneficiare del nuovo processo produttivo.

Le memorie saranno disponibili a partire dai prossimi mesi con prezzi di lancio da definire.